Zkreslení a jiné zvukové degradace vznikající v zesilovačích mají jednu hlavní příčinu: signál vede přes nelineární tranzistory či elektronky (jiné zdroje zkreslení, jako špatná kvalita napájení a dalšího příslušenství, se dají odstranit příslušnými technickými úpravami).
Triodové elektronky, pentodové elektronky, FET a ostatní tranzistory mají různé charakteristiky, ale jeden společný fakt: jsou nelineární! Pokud by jejich charakteristika byla lineární, bylo by jednoduché postavit dobrý zesilovač s kvalitním zvukem.
 |
| Ing. Carlos Candeias |
Běžným způsobem snižování měřitelného zkreslení je negativní zpětná vazba (NFB). Na první pohled se tato metoda jeví jako řešení problému, ale pouze pro statické testovací signály, nikoli pro "náhodný" signál opravdové hudební reprodukce - křivka vypadá dobře na měřicím zařízení a na papíře, ale má bohužel své limity, které pokládáme za běžné a neodstranitelné.
Jelikož nejsou žádné obvyklé metody, jak otestovat krátkodobé (přechodné) zkreslení, které se vytváří během rychlých signálových změn, většina inženýrů a vývojářů předpokládá, že neexistují. Profesor Mati Otala vyvinul způsob, jak změřit hodnotu TIM - Transient intermodulation (přechodová intermodulace), což byl první úspěšný krok, ale zatím jen malá část celého problému.
Inženýr Carlos Candeias z firmy Candeias Engineering, který spolupracuje s C.E.C. od roku 1993, uspěl při výzkumu a prokázání těchto krátkodobých zkreslení, vycházejících z omezení negativní zpětné vazby. Díky těmto poznatkům mohl být zahájen vývoj zesilovače bez negativní zpětné vazby a s velmi nízkým statickým a dynamickým zkreslením (na trhu již jsou dostupné zesilovače bez NFB, ale stále se zvukovým zkreslením).
Průlomové složení obvodu s LEF technologií je následující: signálový tranzistor neprochází napěťovou charakteristikou VCE nebo charakteristikou IC. Průchodu napěťovou charakteristikou je možné se vyhnout pomocí plovoucích kaskádových obvodů. To je známé řešení, které ovšem při použití tradičních obvodů způsobuje ztráty účinnosti a výkonu. Vzhledem k tomu, že signálový tranzistor v obvodu LEF nezpracovává napětí požadované reproduktorem, ztráta účinnosti je zanedbatelná.
Nejdůležitějším prvkem technologie LEF je tedy oddělené zpracování napětí požadovaného reproduktory od napěťového výstupu hudebního signálu.
 |
 |
 |
| Vnitřní uspořádání obvodů s technologií LEF v přístroji TL 53Z - červené obdélníkové destičky jsou "asistenční" tranzistory (viz text níže). Kliknutím na obrázek zvětšíte detail. | ||
Zkratka LEF znamená "load effect free" neboli signál bez zatížení. To znamená, že signálový tranzistor není nucen zpracovávat napěťový požadavek reproduktoru, protože je obklopen "asistenčními" tranzistory, kteří s tímto napětím manipulují dle potřeby - ve výsledku tedy nedochází k žádnému zkreslení vlivem tohoto zatížení.
U současných zesilovačů se dá lehce poznat, ve kterých místech reprodukce zvukový signál prochází hladce a lehce, a kde naopak vázne a zní těžkopádně - na své cestě do reproduktorů musí projít větším či menším počtem silných výstupních tranzistorů. V obvodech s technologií LEF spolupracují rychlý a přesný signálový tranzistor s ostatními tranzistory, zpracovávajícími napěťové požadavky reproduktorů. Tyto "asistenční" tranzistory nicméně nemají žádný vliv na samotné signálové napětí - jsou odstíněny tak, že reproduktor "vidí" pouze signálový tranzistor. To je uskutečnitelné díky velmi nízké impedanci signálového tranzistoru v kombinaci s vysokou výstupní impedancí "asistenčních" tranzistorů. Pokud nastanou drobné napěťové výkyvy "asistenčních" tranzistorů, jsou bezpečně překryty signálovým tranzistorem.
Na rozdíl od klasických zesilovačů mají zesilovače s technologií LEF stabilnější výkon, vyšší rychlost zpracování signálu a zvukovou "barevnost". Výzkum technologie LEF odstartovala spolupracující firma Candeias Engineering v roce 1997, při pracích na zesilovači DX 71. Vývoj prvního zesilovače s obvody s technologií LEF byl dokončen v roce 2000 modelem AMP 71.
